李春伟
,
田修波
,
刘天伟
,
秦建伟
,
巩春志
,
杨士勤
稀有金属材料与工程
采用高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)技术,在铝合金基体上制备V薄膜.研究溅射气压对V薄膜相结构、表面形貌及摩擦学性能的影响.结果表明:不同气压下制备的V薄膜中的V相仅沿(111)晶面生长,其衍射峰强度先增强后减弱,当气压为0.5 Pa时,衍射峰最强且择优取向最明显；同时,V薄膜表面质量最好,其表面粗糙度最小仅为0.267 nm.室温下V薄膜样品的耐磨性能与基体相比有大幅提高,当气压为0.5 Pa时,摩擦系数可由基体的0.57下降到0.28,磨痕表面无明显的剥落迹象,表现出最佳的摩擦磨损性能.经过200和300℃加热处理后的V薄膜样品的摩擦系数与基体相比具有稳定的低值,这是由于表面氧化造成的.
关键词:
高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)
,
V薄膜
,
溅射气压
,
摩擦系数
,
退火
缪存星
,
赵占霞
,
栗敏
,
徐飞
,
马忠权
人工晶体学报
利用射频磁控溅射方法,采用Sc_2O_3掺杂(质量百分比2%)ZnO为靶材在石英玻璃上制备透明导电ZnO:Sc(SZO)薄膜.用X射线衍射仪、分光光度计及霍尔测试仪等对样品进行表征,分析了沉积压强从0.3 Pa到2.0 Pa的变化对SZO薄膜的微结构及光学特性的影响.XRD研究结果表明所有样品都是六角密堆积结构,而且溅射压强对SZO薄膜的微结构有着显著的影响.所有SZO薄膜的透过率在可见光区域均大于85%,近紫外区域由于吸收,透射率大大降低.
关键词:
射频磁控溅射
,
SZO薄膜
,
溅射压强
,
透明导电氧化物
刘亚妮
,
余乐
,
李子全
,
刘劲松
,
曹安
,
蒋维娜
,
刘建宁
机械工程材料
采用射频磁控溅射法沉积了Si1-xGex薄膜,研究了溅射气压、衬底温度对薄膜结构、厚度、表面形貌、表面成分及光吸收性能的影响。结果表明：薄膜均为微晶结构且相组成不随溅射气压和衬底温度的改变而改变;随着溅射气压升高,薄膜结晶性能降低,升高衬底温度使其结晶性能提高;随气压或温度的升高,薄膜厚度均先增大后减小,在1.0Pa或400℃达到最大值;随温度的升高,薄膜表面团簇现象消失并变得平整致密,气压为8.0Pa时,表面有孔洞和沟道;随气压升高,薄膜中锗含量降低,光吸收强度减小,光学带隙增大;衬底温度的变化对光学带隙影响不大。
关键词:
Si1-xGex薄膜
,
溅射气压
,
衬底温度
,
光吸收强度
刘汉法
,
袁玉珍
,
张化福
,
袁长坤
人工晶体学报
利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了高质量的掺钛氧化锌透明导电薄膜(ZnO: Ti).研究了溅射压强对ZnO: Ti薄膜结构、形貌和光电性能的影响.研究结果表明,溅射压强对ZnO: Ti 薄膜的结构和电阻率有显著影响.X射线衍射(XRD)表明,ZnO: Ti 薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向.在溅射压强为5.0 Pa时,实验获得的ZnO: Ti薄膜电阻率最小值为1.084 ×10~(-4) Ω· cm.实验制备的ZnO: Ti 薄膜具有良好的附着性能,可见光区平均透过率超过91%.ZnO: Ti薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极.
关键词:
ZnO:Ti薄膜
,
透明导电薄膜
,
溅射压强
,
磁控溅射
王玉伟
,
刘平
,
李伟
,
刘新宽
,
马凤仓
,
陈小红
,
何代华
稀有金属材料与工程
研究了衬底温度、溅射气压对磁控溅射沉积ZnO缓冲层薄膜的微观结构、表面形貌和光学性能的影响.结果表明,衬底温度、溅射气压对ZnO缓冲层薄膜表面形貌、晶粒尺寸、禁带宽度和光学透过率等有较大影响.综合分析得出最佳的制备ZnO缓冲层薄膜的工艺为250℃、0.6 Pa.在此工艺下制备的ZnO缓冲层薄膜具有很好的ZnO(002)面c轴择优取向,结构致密、尺寸均匀,禁带宽度为3.24 eV,可见光平均透过率为86.93％,符合作CIGS太阳能电池缓冲层的要求.
关键词:
衬底温度
,
溅射气压
,
ZnO缓冲层
,
微观结构
,
光学性能
孙可为
,
周万城
,
黄珊珊
,
唐秀凤
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12213
采用直流磁控溅射法在玻璃基片上沉积ZnO∶Al(AZO)薄膜,溅射气压为0.2～2.2 Pa.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针和紫外-可见分光光度计对AZO薄膜的相结构、微观形貌和电光学性质进行了表征.结果表明:薄膜的沉积速率随着溅射气压的增大而减小,变化曲线符合Keller-Simmons模型;薄膜均为六角纤锌矿结构,但择优取向随着溅射气压发生改变;溅射气压对薄膜的表面形貌有显著影响;当溅射气压为1.4 Pa时,薄膜有最低的电阻率(8.4×10-4 Ω·cm),高的透过率和最高的品质因了Q.
关键词:
ZnO:Al薄膜
,
直流磁控溅射
,
溅射气压
,
光电性质
宋斌斌
,
于涛
,
张传升
,
李博研
,
李新连
,
郭凯
,
左宁
,
赵树利
,
陈颉
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.16.008
采用直流磁控溅射法在溅射气压为0.1～1.0Pa下制备了金属Mo膜.用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对单层Mo膜的表面、断面形貌和粗糙度进行了分析与表征;用X射线衍射(XRD)研究了气压对Mo膜晶粒尺寸和薄膜应力应变的影响;用SEM观察了双层和三层Mo背电极层的表面形貌.结果表明,溅射气压升高,表面颗粒由细长变得圆润,均方根粗糙度升高,其值介于1.32～4.81 nm之间;Mo膜的晶粒尺寸随气压的升高而降低,其值介于27.2～11.7 nm之间;溅射气压为0.2 Pa和0.3 Pa时制备的Mo膜显现为张应力;将双层Mo背电极表面制备0.7 Pa的Mo层后,表面更加圆润,孔隙增多.
关键词:
磁控溅射
,
CIGS
,
Mo背电极
,
溅射气压
,
形貌结构
郭胜利
,
胡跃辉
,
胡克艳
,
陈义川
,
范建彬
,
徐承章
,
童帆
人工晶体学报
在不同溅射压强下,通过射频(RF)磁控溅射在石英玻璃衬底上沉积得到W掺杂ZnO薄膜(WZO).对样品的结晶性能,表面形貌和光学性能进行测试分析,结果表明:在适当溅射压强下,薄膜具有良好的结晶性和光学性能.随着溅射压强的增加,薄膜的结晶性先变好后变差,晶粒尺寸先增大后减小,在1.0 Pa时薄膜的结晶性最好,且晶粒尺寸最大,约为32 nm;所有WZO薄膜样品的平均透光率超过80％;光致发光主要由本征发光和缺陷引起的蓝光发光组成,在1.0Pa时薄膜还有明显的Zn;缺陷,在1.2Pa时薄膜有明显的Oi缺陷.
关键词:
溅射压强
,
ZnO薄膜
,
W掺杂
,
光致发光
李玲
,
薛涛
,
宋忠孝
,
刘纯亮
,
马飞
稀有金属
详细地研究了溅射压强对a-IGZO薄膜的微结构和电学特性产生的影响.AFM分析表明,薄膜的表面粗糙度随溅射压强的增加而增大.XPS分析表明薄膜中氧空位含量随溅射压强的增加而减少.增加表面粗糙度和减少氧空位对a-IGZO薄膜晶体管的特性有着决定性的作用.当溅射压强保持在0.6 Pa时,得到的薄膜晶体管的特性最佳,电子的饱和迁移率和门限电压分别是3.32 cm2/(V·s)和24.6 V.溅射压强是磁控溅射制备IGZO薄膜及其晶体管的关键影响因素.
关键词:
a-IGZO
,
薄膜晶体管
,
溅射压强
,
氧空位
